[주요 연구 내용 요약]

1. 본 연구는 8인치 웨이퍼에서 HZO(Hf_0.5Zr_0.5O₂) 기반 n-FeFET과 CMOS를 FEOL 공정으로 모놀리식 동시 집적하고, N₂, H₂ ambient에서 PMA (Post Metallization Anneal)이 소자/인버터 특성에 미치는 영향을 체계적으로 비교하였음. N₂ PMA는 HZO의 o-phase 안정화와 산화막 트랩 저감을 통해 FeFET 메모리 윈도우(MW)를 더 크게 키웠고, H2 PMA는 강유전성 개선 효과는 제한적이지만 인터페이스 트랩을 크게 낮춰 SS를 더 낮추었음
   

[성과와 관련된 이미지 및 간단한 설명]

N2와 H2 분위기에서 PMA 후 트랩과 전기적 특성을 비교하였음. 

H2 PMA는 인터페이스 결함을 크게 낮춰서 SS를 62.7 mV/de까지 낮췄음. 반면, N2 PMA는 o-phase 안정화를 통해 메모리 윈도우를 키웠음.

[연구결과의 진행 상태 및 향후 계획]

1. 웨이퍼 레벨에서FeFET과 CMOS를 동시 접적을 하였음. 또한, 동시 집적된 인버터에 N₂/H₂ PMA 공정 이후 VTC와 이득을 분석하여 회로 레벨의 영향까지 분석하고 최적의 PMA 조건을 제시하였음. 향후 TiN 두께를 제어하여 H-incorporation effect를 제어하면서 D_it 패시베이션을 유지하는 엔지니어링을 진행할 예정임.
2. “Scientific reports” 출판