[주요 연구 내용 요약]

1. 본 연구는 공정 시뮬레이션을 사용하여 재료 선택과 단수 증가 3D NAND FLASH에서 기계적 응력과 전기적 성능에 어떠한 영상을 미치는지를 연구하였음. 단수를 늘리면 채널 응력의 영향이 증폭되어 on current를 향상시킬 수 있음. 공정 초기에 SiN을 high-CTE 재료로 대체하면 on current를 더욱 증가시킬 수 있음. 더불어 다양한 재료 stack 중에서 Mo/HfO₂/poly-Si PMRG가 HfO₂의 높은 CTE로 인해 가장 큰 채널 응력과 on current 개선(12.7%)을 보였음. 반면 IGZO 채널은 낮은 낮은 증착 온도로 인해 성능이 크게 향상되지 않았음. 이는 차세대 고밀도 NAND의 개발에서 재료 선택과 증착 온도 최적화의 중요성을 강조함.

[성과와 관련된 이미지 및 간단한 설명]

본 연구는 (1) 3D NAND의 차세대 후보 물질을 포함하여 다양한 재료의 조합을 탐구

(2) 향상된 채널 스트레스를 통해 on current 개선을 극대화하는 최적의 조합을 찾았음. 

[연구결과의 진행 상태 및 향후 계획]

1. 더 넓은 범위의 재료를 포함하여 비교하고, 새로운 3D NAND 아키텍처에서의 채널 스트레스 영향을 조사할 계획임.  
2. ”Material Science in Semiconductor Processing” 출판