[주요 연구 내용 요약]

1. GAAFET 다음 노드 소자인 FSFET의 Angstrom 노드 적용 방향 제시
2. 본 연구는 ultra-stacked FSFET의 정량적 분석을 통해 차세대 반도체 기술로서의 적용 가능성을 연구하였음.Ultra-stacked FSFET은 채널을 수직으로 적층하여 effective width을 감소시킴으로써 칩 면적을 획기적으로 줄일 수 있는 혁신적인 기술임. 이러한 특성은 소자 집적도를 크게 향상시킬 수 있는 잠재력을 지님. 하지만 채널 적층 수가 증가함에 따라 소자의 저항이 커져 지연시간이 증가하는 문제가 발생함. 이는 소자의 성능을 저하시키는 주요 원인으로 작용할 수 있음.본 논문은 이러한 trade-off 관계를 극복하기 위해 새로운 기술 도입의 필요성을 제시하며, ultra-stacked FSFET의 전기적 특성을 정량적으로 분석함. 연구 결과는 FSFET 기술 개발의 방향성을 제시한다는 점에서 학술적 의의를 가짐.

[성과와 관련된 이미지 및 간단한 설명]

1. Ultra-stacked FSFET의 도입에 따른 chip area (왼쪽: 4-stack, 오른쪽: 5-stack) 평가
   

[연구결과의 진행 상태 및 향후 계획]

1. 추후 stacked FSFET과 CFET의 정량 평가를 통해 angstrom 노드향 최적 로직 소자 구조에 대한 평가 예정
2. “IEEE Transactions on Electron Devices” 출판