백록현 교수, 교육부 장관 표창 수상

산업체와의 공동연구를 통한 대학기술의 사업화 촉진, 국가전략기술 경쟁력 강화에 기여한 점을 인정받아 교육부 장관상(산학협력 유공)을 수상하였습니다. 백록현 교수는 2025년 현재 18 옹스트롬 노드 양산에 적용된 세계 최고 로직 기술인 Gate-All-Around FET의 누설 전류 개선 방법을 기술 이전하였습니다. 본 수상은 한국연구재단(NRF)의 추천을 받아 교육부가 선발하였고 2025년 10월 29일 대구 EXCO에서 개최된 ‘2025산학협력 EXPO’ 개막식에서 진행되었습니다.

Gate-All-Around FET(GAA FET)란?

전세계 반도체 산업의 70%를 차지하는 로직 분야에서 개발된 세계 최고의 반도체 소자공정 기술이며, 나노 시대를 끝내고 옹스트롬 시대를 연 주인공입니다. 전세계에 삼성, TSMC, 인텔 3사만 생산 가능하며, 최고 성능이 필요한 AI/mobile 칩(Nividia 루빈 울트라, AMD 인스팅트 MI450, Apple A20, Tesla 도조, 옵티머스, Intel 팬서레이크)이 GAAFET를 사용합니다.